AI數(shù)據(jù)中心對高速光模塊的需求正在把磷化銦推向前所未有的位置。磷化銦憑借高飽和電子漂移速度和直接帶隙特性,是800G向1.6T光通信演進(jìn)中難以繞開的核心材料。然而,材料本身的優(yōu)異光電性能,并不能自動(dòng)轉(zhuǎn)化為器件的高良率。
隨著人工智能、高性能計(jì)算等應(yīng)用對芯片帶寬和功耗提出越來越高的要求,傳統(tǒng)有機(jī)基板與硅通孔技術(shù)正面臨信號損耗、翹曲控制等物理極限。憑借優(yōu)異的高頻性能、低介電損耗、高平整度及熱穩(wěn)定性,玻璃基板正成為新一代半導(dǎo)體封裝材料的理想選擇。與此同時(shí),Chi...
在半導(dǎo)體先進(jìn)封裝制造領(lǐng)域,玻璃基板憑借優(yōu)異的電絕緣性、熱穩(wěn)定性和尺寸穩(wěn)定性,正成為越來越多高端器件不可或缺的承載材料。然而,在玻璃基板上進(jìn)行引線鍵合時(shí),鍵合強(qiáng)度不足、虛焊、早期失效等問題卻頻頻出現(xiàn),成為制約產(chǎn)品良率與可靠性的關(guān)鍵瓶頸。追根溯...
2026年全球AI芯片市場持續(xù)爆發(fā)式增長,據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,2025年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模約7920億美元,2026年預(yù)計(jì)進(jìn)一步擴(kuò)大至9750億美元。然而,高端AI芯片的量產(chǎn)瓶頸已非先進(jìn)制程本身,而是CoWoS、混合鍵合等先進(jìn)封裝技術(shù)的產(chǎn)能與良...
隨著人工智能、高性能計(jì)算等應(yīng)用對芯片帶寬和功耗提出越來越高的要求,傳統(tǒng)有機(jī)基板與硅通孔(TSV)技術(shù)正面臨信號損耗、翹曲控制等物理極限。玻璃基板憑借優(yōu)異的高頻性能、低介電損耗、高平整度及熱穩(wěn)定性,成為新一代封裝材料的理想選擇。而玻璃通孔(T...
近期,新版強(qiáng)制性國標(biāo)GB 38031-2025《電動(dòng)汽車用動(dòng)力蓄電池安全要求》正式落地實(shí)施。依據(jù)國標(biāo)配套解讀及車企供應(yīng)鏈準(zhǔn)入規(guī)范,極耳斷裂、包膠脫粘、焊接界面失效被列為重點(diǎn)核查的電芯制造缺陷。在此政策背景下,從工藝源頭管控極耳斷裂風(fēng)險(xiǎn),已經(jīng)...